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月底量產，三星宣佈30nm製程8Gb OneNAND

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sxs112.tw
發佈時間: 2010-5-6 20:01

正文摘要:

來自Expreview的報導 ，三星電子宣佈，已成功用30nm製程製造出8Gb容量的OneNAND快閃記憶體晶片，目標是大型存放區設備和高階智慧手機。這種OneNAND快閃記憶體晶片是採用SLC NAND技術，把讀取速度提升至70MB/s（是傳 ...

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Colt357tw 發表於 2010-5-9 16:15:53
對TMC真的很失望....

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