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突破性進展！三星400層NAND快閃記憶體開發完成：最快2025年第二季末量產

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發佈時間: 2024-12-9 16:53

正文摘要:

根據媒體報導三星已成功開發出突破性的400層堆疊NAND Flash快閃記憶體技術，並已開始將該技術轉移到大規模生產線。這項進展可望超越前不久已宣布量產321層NAND Flash的SK Hynix。 三星計劃在2025年國際固態電路會議 ...

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