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速度5.6 GT/s、超過400層！三星將推出第10代V-NAND快閃記憶體

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sxs112.tw
發佈時間: 2024-12-5 12:30

正文摘要:

根據媒體報導三星即將在國際固態電路會議（ISSCC）上展示其最新的第10代超過400層3D NAND Flash，速度可達5.6 GT/s。 三星的這新一代V-NAND保持了TLC架構，每個晶片的容量為1Tb（128GB）。三星聲稱其新的超400層3D ...

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