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三星計劃在2026年推出400層V-NAND，並在2027年實現DRAM技術進步

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發佈時間: 2024-10-30 08:29

正文摘要:

三星目前正在量產其今年4月推出的286層第9代V-NAND快閃記憶體晶片。但根據韓國經濟日報報導該公司的目標是到2026年推出至少有400個堆疊層的V-NAND 記憶體晶片。公司將以最大限度地提高容量。然而堆疊超過300層被證明 ...

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