NEO半導體宣布開發3D X-AI晶片，目標取代HBM晶片並解決頻寬瓶頸

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發佈時間: 2024-8-18 21:16

近日3D NAND快閃記憶體和3D DRAM創新技術的領先開發商NEO Semiconductor宣布推出其3D X-AI晶片技術，旨在取代高頻寬記憶體（HBM）內部的現有DRAM晶片，透過在3D DRAM中實現AI處理來解決資料匯流排頻寬瓶頸。消 ...

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wwchen123 發表於 2024-8-19 07:17:52

不要光是講設計.

實際產出的功耗會到哪個等級啊!~ 還疊300層.

目前 DRAM 還未達到真10nm 等級.
這設計, 沒來個 DRAM 3nm, 真的能用嗎?

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