Intel 晶圓代工以高數值孔徑極紫外光微影設備為 18A/14A 開創晶片製造新格局

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發佈時間: 2024-4-21 19:04

英特爾晶圓代工實現先進半導體製造的重大里程碑，位於美國俄勒岡州希爾斯伯勒的英特爾研發基地中，研發人員已完成業界首台商用高數值孔徑極紫外光微影設備（High NA EUV）組裝。此台由微影技術領導者艾司摩爾（ASM ...

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lin.sinchen 發表於 2024-4-22 10:37:53

clouse 發表於 2024-4-21 23:54
18A=4nm 14A=3nm 2027 年啟用還3年

還要等一段時間

clouse 發表於 2024-4-21 23:54:52

18A=4nm 14A=3nm 2027 年啟用還3年

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