三星宣布正在開發下一代V9 QLC快閃記憶體技術,一舉堆疊到280層,容量、性能都實現了巨大的飛躍,預計今年內就會正式推出。 三星V9 QLC快閃記憶體的儲存密度達到了前所未有的每mm2 28.5Gb,相比目前最好的長江儲存2 ...