台積電(TSMC)在2nm製程節點將首度使用Gate-all-around FETs(GAAFET)晶體管,同時製造過程仍依賴於極紫外線(EUV)光刻技術,原計劃2024年末將做好風險生產的準備,並在2025年末進入大量生產,客戶在2026年就能收 ...