去年台積電(TSMC)總裁魏哲家證實,2nm製程節點將如預期那樣使用Gate-all-around FETs(GAAFET)晶體管,製造的過程仍依賴於現有的極紫外(EUV)光刻技術,預計2024年末將做好風險生產的準備,並在2025年末進入大批 ...