三星宣布開發其下一代12nm-Class DDR5 DRAM,該DRAM能夠提供高達7.2Gbps的引腳速度。 這一技術飛躍是透過使用增加電池電容的新型高κ材料和改善關鍵電路特性的專有設計技術實現的。結合先進的多層極紫外 (EUV) 光 ...