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三星宣布量產第8代236層V-NAND閃存 業界最高位密度，I/O速率達2.4Gbps

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Martin
發佈時間: 2022-11-8 12:33

正文摘要:

三星宣布，已開始批量生產採用第8代V-NAND技術的產品，為1Tb（128GB）TLC 3D NAND閃存芯片，達到了236層，相比第7代V-NAND技術的176層有了大幅度的提高。三星稱，新的閃存芯片提供了迄今為止業界內最高的位密度，可 ...

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