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快閃記憶體”蓋樓”新紀錄，三星第八代V-NAND為228層：未來可達1000層

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sxs112.tw
發佈時間: 2021-6-9 19:50

正文摘要:

自從快閃記憶體進入3D時代，堆棧層數猶如摩天大樓一樣越來越高，從最初的24/32層一路堆到了現在的128層甚至176層。三星下一代的第八代V-NAND據說為228層，未來還可以做到1000層。 目前全球半導體晶片產能緊張，NA ...

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