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三星在ISSCC 2021上展示256Gb 3nm MBCFET晶片

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sxs112.tw
發佈時間: 2021-3-12 19:15

正文摘要:

在國際固態電路研討會（International Solid-State Circuits Conference，ISSCC）上，三星代工展示了朝著更小，更高效的製程邁出的新一步。展示的新晶片是採用SRAM技術的256Gb儲存晶片。但是在我們提到其背後的技術 ...

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