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Micron全球首發176層3D快閃記憶體：首先採用TLC

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發佈時間: 2020-11-10 14:46

正文摘要:

Micron剛剛宣布了其第五代3D NAND技術，達到了創紀錄的176層堆疊。這也是Micron、Intel在快閃記憶體合作上分道揚鑣之後，自己獨立研發的第二代3D NAND。 得益於新的快閃記憶體架構和堆疊技術，Micron將176層的厚 ...

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