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東芝推出可提高SiC (碳化矽)MOSFET 可靠性元件結構

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White
發佈時間: 2020-8-14 15:37

正文摘要:

東芝電子元件及儲存裝置株式會社（東芝）推出可提高SiC（碳化矽）MOSFET[1]可靠性的元件結構。相較於東芝的典型元件結構，MOSFET內嵌的SBD（肖特基勢壘二極體[2]）可在抑制導通電阻增大的同時，將元件結構的可靠性提 ...

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