SK Hynix今天宣布已經開始大規模批量生產新一代HBM2E DRAM,距離去年8月首次提出這一規格只有10個月的時間。 SK Hynix的HBM2E具備大容量、高速度、低功耗的特點,利用TSV技術垂直堆疊八顆16Gb(2GB)晶片,從而做到 ...