三星昨天宣佈推出業界首款第三代HBM2E記憶體,新的HBM2E記憶體由8顆16Gb的DRAM顆粒堆疊而成,單個封裝可以達到16GB的總容量,並且其擁有高達3.2Gbps的傳輸速率。 三星的這款HBM2E中可以堆疊8個1y nm制程的16Gb ...