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Samsung開發出第3代10nm級DDR4記憶體:導入EUV技術、下半年量產

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發佈時間: 2019-3-21 16:58

正文摘要:

3月21日Samsung宣布開發出業內首款採用第三代10nm級製程的DRAM記憶體晶片,將用於高階應用場景,這距離Samsung量產1y nm 8Gb DDR4記憶體晶片僅過去16個月。第三代10nm級製程即1z nm(在記憶體製造中,用x/y/z指代, ...

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