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SK Hynix宣佈業內首款4D快閃記憶體：512G​​b TLC、年末出樣

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sxs112.tw
發佈時間: 2018-8-8 10:24

正文摘要:

正在美國舉辦的Flash Memory Summit首日已經結束，亮點頗多。 SK Hynix內部的4D快閃記憶體已經推進到了128層堆疊，很快可以做到單晶片512GB，2025年做到單晶片8TB。目前SK Hynix的3D NAND是72層堆疊，單晶片最大 ...

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