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三星公佈7nm EUV技術細節:年底預試產、柵極間距54nm

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發佈時間: 2018-6-21 20:09

正文摘要:

本週舉行的VLSI(超大規模整合電路)研討會上,三星首次分享了採用EUV技術的7nm細節。 EUV在半導體領域的應用已經研發了將近30年之久,終於在2018年看到曙光,三星稱風險試產年底啟動。考慮到風險試產到最終量產 ...

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