繼三星舊金山快閃記憶體高峰會上宣布,推出新V-NAND單晶粒,容量1Tb後,不少同行科技人員表示,這不過是三星的QLC快閃記憶體,只不過換了說辭,它比TLC的儲存密度更大,但相應的犧牲壽命和讀寫。三星追逐QLC既是技術 ...