除工廠升級之外,SK Hynix還將推出新一代3D NAND快閃記憶體,堆疊層數將從目前的36、48層提升到72層,一舉超過三星、美光及東芝新一代64層堆疊3D快閃記憶體,預計在明年下半年正式量產。 2016年上半年各NAND廠商 ...