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東芝擴充新一代N-channel MOSFET:30V與60V系列 雙面散熱超高效率

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發佈時間: 2016-1-13 15:04

正文摘要:

東芝半導體與儲存產品公司封裝技術再躍進,研發推出新一代N-channel MOSFET 30V及60V系列,皆以U-MOS IX-H溝槽式半導體製程為基礎設計,此設計已被使用於降低導通電阻,在各種不同載量下帶來最佳效率;同時也可降 ...

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