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東芝全球首發16 Die堆疊快閃記憶體

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sxs112.tw
發佈時間: 2015-8-6 20:17

正文摘要:

東芝快閃記憶體這兩天好嗨啊。全球第一個做到48層堆疊、單Die容量256Gb之後，今天又宣布利用TSV矽穿孔技術，開發出全球第一個16 Die堆疊NAND快閃記憶體。兩項技術相結合，意味著一顆快閃記憶體晶片的容量可以達到256 ...

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