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超越三星的 32 層 NAND Flash， Sandisk 與 Toshiba 發表 48層 3D NAND Flash

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nakajima
發佈時間: 2015-8-4 15:19

正文摘要:

SanDisk 和東芝公司今天宣布，他們正在製造48層 256Gbit（32GB）的高密度 3D NAND Flash 快閃記憶體。該技術採用了東芝的 BiCS 技術，每單元電晶體可塞入3 bit資料，儲存容量至少上看 1TB，遠超過其他市面上的主流產 ...

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