邁入20nm大關，三星量產最先進4Gb DDR3記憶體顆粒

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發佈時間: 2014-3-11 21:03

今天三星宣布開始量產全球最先進的4Gb DDR3記憶體顆粒，這種顆粒採用了最新的20nm製程（不是20nm class）、改進的封裝製程和現有的ArF浸入式光刻技術生產，性能比25nm DDR3高30%，比30nm級別DDR3高1倍以上，同時功耗 ...

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司馬相人 發表於 2014-3-13 05:46:43

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