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三星率先推出8Gb LPDDR4記憶體,將與64位Exynos搭配

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發佈時間: 2013-12-30 22:26

正文摘要:

該記憶體晶片採用三星20nm製程(可能是21nm),每die最大容量可達1GB,此外還採用與JEDEC合作制定的低電壓擺幅終止邏輯LVSTL I/O界面,每pin傳輸速度高 ​​達3200Mbps,比自家20nm的LP DDR3快了50%。此外其電壓僅為 ...

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DayFly 發表於 2014-1-3 18:47:40
有空一起交流一下
escapar 發表於 2014-1-1 22:42:50
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