該記憶體晶片採用三星20nm製程(可能是21nm),每die最大容量可達1GB,此外還採用與JEDEC合作制定的低電壓擺幅終止邏輯LVSTL I/O界面,每pin傳輸速度高 達3200Mbps,比自家20nm的LP DDR3快了50%。此外其電壓僅為 ...