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半導體領域的里程碑，美光試產16nm製程MLC NAND快閃記憶體

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sxs112.tw
發佈時間: 2013-7-17 22:10

正文摘要:

目前MLC NAND快閃記憶體的製程已經過渡至20nm級別，不少SSD產品都已經採用了新製程的快閃記憶體。而美光科技則走得要比別人快一些，他們已經開始試產採用16nm製程打造的128Gb MLC NAND快閃記憶體，這種製程在快閃記 ...

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