三星電子官方宣布已經開始大量生產第九代QLC V-NAND,單顆容量1Tb(128GB)。就在今年4月三星開始量產第九代TLC V-NAND,二者只間隔4個月。
三星第九代QLC NAND快閃記憶體加入了多項創新:
一是通道孔蝕刻(Channel Hole Etching)。
採用雙堆疊架構,實現了目前業界最高的單元堆疊層數(具體未公開)。同時優化儲存單元面積、外圍電路,位密度比上代提升約86%。
二是預設模具(Designed Mold)。
可調整、控制儲存單元的字線(Word Line)間距,確保同一單元層內、單元層之間的儲存單元的特性保持一致,達到最佳效果,資料保持效能提升約20%,增強了可靠性。
三是預測程式(Predictive Program)。
能夠預測、控制儲存單元的狀態變化,盡可能減少不必要的操作,寫入效能增加一倍,資料輸入/輸出速度提升60%。
四是低功耗設計(Low-Power Design)。
降低了驅動NAND儲存單元所需的電壓,只感測必要的位元線(Bit Line),資料讀取功耗約分別下降了約30%、50%。
三星第九代QLC V-NAND快閃記憶體將首先用於消費性電子產品,然後逐步在UFS、PC、伺服器領域鋪開。
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