Nikon宣布將於2024年1月正式推出ArF 193nm浸沒式微影機NSR-S636E,生產效率、套刻精度都會有進一步提升。
據悉Nikon這款曝光機採用增強型iAS設計,可用於高精度測量、圓翹曲和畸變校正,重疊精度(MMO)更高,號稱不超過2.1nm。解析度小於38nm,鏡頭孔徑1.35,曝光面積為26x33mm。比較目前型號,它的整體生產效率可提高10-15%,創下Nikon光刻設備的新高,每小時可生產280片晶圓,停機時間也更短。
Nikon還表示在不犧牲生產效率的前提下,新光刻機可在需要高重叠精度的半導體製造中提供更高的性能,尤其是先進邏輯和記憶體、CMOS影像感光元件、3D快閃既體等3D半導體製造,堪称最佳解决方案。
另據了解新光刻機的光源技術是20世紀90年代就已經成熟的i-line,再加上相關零件、技術的成熟化,價格將比競品便宜20-30%左右。不過目前尚不清楚Nikon這款光刻機能製造多少nm的晶片。
日本Nikon、Canon與荷蘭阿斯麥(ASML)曾經是光刻機三巨頭,但因為點錯了科技樹,沒有跟上ASML的193nm浸沒式光刻技術,逐漸沒落,尤其是在EUV極紫外光刻技術上毫無建樹。為了生存,Nikon、Canon基本上放棄了對尖端光刻技術的角逐,更專注於難度更低、價格更低的成熟製程光刻設備。
但他們也並非一無是處,例如Canon研發了奈米壓印技術(NIL),無需EUV就能製造5nm晶片。
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