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作者: sxs112.tw
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[儲存裝置] SK Hynix首發321層快閃記憶體,三星被搶快原因揭秘:步伐邁太大

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sxs112.tw 發表於 2023-8-10 19:11:27 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
日前SK Hynix宣布全球首發321層堆棧的4D快閃記憶體,這也是快閃記憶體首次提升到300層以上,核心容量1Tb,TLC類型。

在堆棧層數上,SK Hynix的4D快閃記憶體因為架構不同,相比其他家來說堆棧層數佔優一些,譬如之前美光及中國長江儲存推出的都是232層,SK Hynix上一個記錄是238層,多了那麼幾層。這次首發321層也是如此,拿到了全球首發,但產品要到2025年才能量產,因此未來兩年的變數還很大。
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真正值得注意的是,在堆棧層數的競爭上,一哥三星一直很低調,2022年11月份宣布量產第八代V-NAND,TLC類型,核心容量也是1Tb,但堆棧層數沒公佈,業界分析是230+以上,具體未知。三星預計在2024年量產第九代V-NAND,層數提升到280,再往後預計2025-2026年推出第十代V-NAND,堆棧層數430+。

這就是為什麼三星在300+層技術上被SK Hynix搶快的原因,三星計劃跳過300層,不打算搞這個等級的快閃記憶體,直接進入到400+層時代,到時候這個層數要比友商的300+層領先很多。三星這次步子邁得很大,計劃是美好的,但是跳過這一等級的快閃記憶體,技術上挑戰也不小,最終能否如願還要時間來檢驗。

消息來源

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clouse 發表於 2023-8-10 20:33:47 | 只看該作者
預測未來5年NAND都會呈現長期低價
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