Kioxia與Western Digital宣布推出218層3D NAND

Kioxia Corporation和Western Digital Corp.今天宣布了他們最新3D NAND技術的詳細訊息，展示了持續的創新。該3D NAND採用先進的縮放和晶圓鍵合技術以極具吸引力的成本提供卓越的容量、性能和可靠性，這使其非常適合滿足廣泛市場領域呈指數級增長的數據需求。

Kioxia和Western Digital透過導入幾種獨特的流程和架構來降低成本，從而實現持續的橫向擴展進步。垂直和橫向縮放之間的這種平衡以優化的成本在層數更少的更小晶片中產生更大的容量。兩家公司還開發了開創性的CBA（CMOS directly Bonded to Array）技術，其中每個CMOS晶圓和單元陣列晶圓都在其優化條件下單獨製造，然後粘合在一起以提供更高的位元密度和更快的NAND I/O速度。

218層3D NAND利用有四個平面的1Tb三級單元 (TLC) 和四級單元 (QLC)，並採用創新的橫向收縮技術，可將位元密度提高50%以上。其超過3.2Gb/s的高速NAND I/O，比上一代產品提高了 60%，加上寫入性能和讀取延遲提高了20%，將為用戶提高整體性能和可用性。

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