三星開始開發DDR6記憶體：採用MSAP封裝技術，傳輸速度可高達17,000Mbps

DDR5在幾個月前才成為主流，但三星已經處於下一代DDR6的早期開發過程中。

在韓國水原舉行的一次研討會上，三星測試和系統封裝 (TSP) 副總裁透露隨著未來記憶體本身性能的擴展，封裝技術需要不斷發展。該公司證實它已經處於下一代 DDR6的早期開發階段，該記憶體將使用MSAP技術。

據三星稱MSAP已被其競爭對手（SK Hynix and Micron）用於DDR5。那麼MSAP有什麼新功能呢？嗯，MSAP改進的半加法製程允許DRAM製造商打造擁有更精細電路的記憶體模組。這是透過在先前未觸及的空白空間中塗覆電路圖案來實現的，從而實現更好的連接和更快的傳輸速度。下一代DDR6不僅將利用MSAP來增強電路連接，還可以對應將被合併到DDR6中的層數增加。

三星預計其DDR6設計將在2024年完成，但2025年之後不會商用。在規格方面DDR6將是現有DDR5的兩倍，傳輸速度高達12,800Mbps（JEDEC ) 和超頻速度超過 17,000Mbps的範圍。目前三星最快的DDR5 DIMM有高達7,200Mbps的傳輸速度，因此在JEDEC上提高了1.7倍，在下一代記憶體晶片的超頻速度下提高了2.36倍。

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2030才能普及