在一年一度的技術日期間三星透露了有關 DDR6、GDDR6+、GDDR7和HBM3等下一代記憶體技術的新訊息。
Computerbase設法從討論下一代記憶體標準的三星那裡獲得了訊息。記憶體設計的最新飛躍是DDR5的推出。該標準現已在Intel第12代Alder Lake平台上啟動並運行,雖然供應存在一些重大問題,但記憶體製造商並沒有停止改進DDR5。三星概述了在不久的將來DDR5-6400 Mbps的原生JEDEC速度和DDR5-8500 Mbps的超頻速度。目前記憶體製造商已經將最初生產的DDR5 DIMM的傳輸速度提高到 7000 Mbps,但隨著時間的推移,這種情況會變得更好。
進入DDR6,下一代記憶體標準據說已經在開發中,未來將取代DDR5。由於DDR5才剛剛推出,我們DDR6至少要到2025-2026+才會推出。DDR4標準與保持了至少6年,因此我們應該期待DDR6的發佈時間相同。
我們知道一些製造商已經為未來的DDR5 DIMM提供了高達12000Mbps的傳輸速度,因此我們可以預期DDR6在其最精緻的狀態下很容易突破20K Mbps的障礙。與 DDR5相比,DDR6將有四個16位元記憶體通道,總共64條記憶體。
三星還透露了其提供更快GDDR6+標準的計劃,該標準將取代現有的GDDR6。目前Micron是唯一一家採用GDDR6X標準設計21Gbps+顯示記憶體的公司。GDDR6+不僅僅是提高頻寬,更像是對GDDR6的改進。據說它的速度高達24Gbps,並將成為下一代GPU的一部分。這將允許擁有320/352/384位元記憶體匯流排佈局的GPU達到超過1TB/s的頻寬,而256位元GPU將能夠達到高達768GB/s的頻寬。
還有目前在顯示DRAM路線圖上的GDDR7,預計將提供高達32Gbps的傳輸速度以及即時錯誤保護技術。在256位元記憶體匯流排上、傳輸速度為32Gbps的GDDR7系統將提供1TB/s的總頻寬。使用384位元時為1.5TB/s,而在512位元系統上則高達2TB/s。對於GDDR標準來說,這簡直是瘋狂的頻寬。
另外三星確認計劃在2022年第二季開始量產其HBM3。下一代記憶體標準將為未來的HPC和數據中心GPU/CPU提供動力。
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