SK Hynix最近才確認他們已經開發出24GB HBM3,每個堆棧的頻寬高達819GB/s。可用於GPU和可能的CPU等高性能計算產品,下一代記憶體將需要更大的容量和更高的頻寬,這就是HBM3的用武之地。
JEDEC是HBM3的負責機構,尚未發布新標準的最終規範。但SK Hynix已將規格從最初的5.2 Gbps更新為6.4 Gbps,但尚不清楚哪些規格會更接近公司計劃為下一代加速器量產的規格。
已經展示的模組擁有12個堆棧,每個堆棧都連接到一個1024位元記憶體匯流排。雖然自HBM2以來控制器匯流排寬度沒有改變,但除了更高的頻率之外,更多的堆棧數量將每個堆棧的頻寬從461GB/s增加到819GB/s。
本週一AMD才剛剛發布AMD Instinct MI250X加速器提供8個HBM2e堆棧,頻率為3.2 Gbps。每個都有16GB的容量,因此整個設備提供128GB。與此同時台積電已經透露了其CoWoS-S(基板上晶片)封裝技術的計劃,該技術可以擁有多達12個HBM堆棧。現在預計將在2023年推出的產品將採用該技術。
到此類產品推出時HBM3應該可以廣泛使用,因此理論上擁有SK Hynix的12個12Hi HBM3堆棧的產品將提供288GB的容量和高達9.8TB/s的最大頻寬。
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