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作者: sxs112.tw
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    [業界新聞] 業內稱三星3nm GAA存在漏電等關鍵技術問題

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    1#
    sxs112.tw 發表於 2021-8-29 23:00:42 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
    據業內人士透露三星電子的3nm GAA製程目前仍面臨著漏電等關鍵技術問題,消息人士稱該製程在性能和成本方面可能也不如台積電的3nm FinFET製程。據電子時報報導上述人士表示,三星可能最早於2022年將其3nm GAA製程量產。
    Samsung-3nm-gaa-image.png

    但由於成本高和性能不理想,可能無法吸引到台積電3nm FinFET製程所獲得的客戶,後者據稱已經獲得了蘋果和Intel訂單。台積電有望在2022年下半年將其3nm FinFET製程推向量產,CEO魏哲家在最近的財報會議上表示N3將是我們N5的另一個全面擴展,並將採用FinFET電晶體結構,為我們的客戶提供最佳的技術成熟度、性能和成本。

    在失去蘋果iPhone處理器訂單後,三星在尖端晶片競爭中落後於台積電。據市場觀察人士稱從蘋果手中奪回訂單將是這家韓國供應商贏得3nm競爭的關鍵。

    消息來源



    2#
    clouse 發表於 2021-8-30 00:23:21 | 只看該作者
    預測三星會失敗延期
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