三星在ISSCC 2021上展示256Gb 3nm MBCFET晶片

在國際固態電路研討會（International Solid-State Circuits Conference，ISSCC）上，三星代工展示了朝著更小，更高效的製程邁出的新一步。展示的新晶片是採用SRAM技術的256Gb儲存晶片。但是在我們提到其背後的技術之前，所有這些聽起來並不有趣。三星首次在3nm半導體製程上使用該公司的全環繞場效電晶體(GAAFET)技術製造了一種晶片。正式的˙GAAFET技術擁有：使用奈米線作為電晶體管鰭片的常見GAAFET，以及使用以奈米片形式出現的較厚鰭片的多橋通道場效電晶體（Multi-Bridge Channel Field-Effect Transistor）。

三星今天展示了首個使用MBCFET技術的SRAM晶片。該晶片是面積為56mm²的256Gb晶片。三星引以為豪的成就是與標準方法相比，該晶片的寫入功率降低了230 mV，因為MBCFET電晶體管使該公司擁有許多不同的節能技術。預計新的3nm MBCFET製程將在2022年的某個時候投入量產，但是像今天看到的那樣除了SRAM，我們還沒有看到邏輯晶片的展示。但是即使SRAM的展示也取得了很大的進步，我們渴望看到該公司如何利用新技術來打造。

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