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[手機相機] 華為Mate 40曝光:將搭載Kirin 1000 5nm製程晶片

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sxs112.tw 發表於 2019-10-1 09:54:34 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
華為上個月發布了Kirin 990,該產品在Mate 30系列中首次亮相。Kirin 990採用7nm FinFET Plus EUV製程。這就是為什麼儘管晶片組佔用的空間很小,但內部卻擁有超過100億個電晶體管,這與擁有69億個電晶體管的Kirin 980相比是一個很大的飛躍。據稱其繼任者為Kirin 1000,理論上將能夠在內部容納更多的電晶體管,因為據報導它將採用5nm製程打造。根據最新報告它將很有可能為Mate 40系列提供動力。
Kirin-1000.jpg

該公司已從業內人士那裡獲得了獨家報導。Kirin 1000顯然將使用台灣半導體製造公司(TSMC)的5nm製程打造。該晶圓代工廠宣布將於4月份完成5nm設計基礎架構,而更小的製程將使華為能夠封裝更多的電晶體管,這將使該晶片比麒麟990更節能,更快,並且不佔用太多空間。

華為已經確認其5nm晶片將使用ARM的Cortex-A77 CPU,這名英國晶片設計人員表示,這將使性能提高20%,而功耗卻沒有增加。儘管華為並不完全同意這一說法,但可以肯定地認為它將帶來某種性能優勢。有了Kirin 1000,我們自然可以期望Mate 40系列在性能上應該會很不錯。

當然華為的海思遠非傳聞中唯一致力於5nm晶片組的晶片製造商。蘋果的下一個A系列晶片也可能是採用5nm。同樣三星還完成了其5nm EUV的開發。最後有傳言稱Snapdragon 875將在TSMC的5nm製程上製造。話雖如此光刻性能的改善並不是影響性能的唯一因素。因此我們將不得不拭目以待,這些傳聞中的5nm晶片在各種情況下都能提供最佳性能。

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