Intel推出Foveros技術，3D堆棧晶片的全新方式

邏輯晶片3D堆疊技術：繼2018年推出EMIB（嵌入式多晶片互連橋接）2D封裝技術之後，Intel此次展示了業界首創的名為Foveros的全新邏輯晶片3D堆疊技術，可實現在邏輯晶片上堆疊邏輯晶片。

該技術有望首次將晶片的堆疊從傳統的無源中間互連層和堆疊儲存晶片擴展到CPU、GPU和AI處理器等高性能邏輯晶片，為整合高性能、高密度和低功耗矽製程技術的零件和系統鋪平了道路。設計人員可在新的產品形態中“混搭”不同的技術專利模組與各種儲存晶片和I/O配置。並使得產品能夠分解成更小的“經畔組合”，其中I/O、SRAM和電源傳輸電路可以整合在基礎晶片中，而高性能邏輯“晶片組合”則堆疊在頂部。

Intel預計將從2019年下半年開始推出一系列採用Foveros技術的產品。首款Foveros產品將整合高性能10nm計算堆疊“晶片組合”和低功耗22FFL基礎晶片。它將在小巧的產品形態中實現世界一流的性能與功耗效率。

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