三星量產10nm製程筆記型DDR4記憶體，單條可達32GB、2666MHz

今日三星在官網宣布量產10nm製程記憶體顆粒的SO-DIMM規格DDR4記憶體，單條最大32GB，頻率最高可達2666MHz，同時功耗將可以下降39%之多。

以往在SO-DIMM上實現32GB十分費勁，比方說之前的G-skill推出的Ripjaws 3800MHz DDR4就是用的三星高階B-die記憶體顆粒，但是需要用到四條8GB才能組成總容量32GB。而這一次三星依靠在顆粒上的優勢，量產出10nm單顆粒16Gb（2GB）的IC，最後可以製作出單條32GB的SO-DIMM。而且頻率進一步提升至2666MHz水平，剛好與現在的高階第八代處理器相匹配，同時得益於10nm製程的更低漏電率，其功耗從7.4W下降至4.5W，幅度達到39%之多，這個也為增加筆記型續航時間+1s。

三星表示，推出高容量高規格的SO-DIMM規格可以幫助筆記型廠商推出性能更強遊戲筆記型，同時自身還會進一步擴展10nm製程在儲存領域的利用，未來還將會推出10nm的LPDDR4、GDDR5、 DDR4顆粒。

消息來源

忍不住要給個讚!!!
應該還有改善空間.  這個顆粒能讓手機, Mobile PC 更省電,
等不及明年的大換機潮.

這算是最近產業聽到最好的消息.
雖然此 10nm 非 i社 10nm, 但 i社積極點好嗎?