IR新型邏輯電平溝道MOSFET，帶來基準效率和更高電流額定值

全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司（International Rectifier，簡稱IR）推出一系列新型邏輯電平閘極驅動溝道HEXFET功率MOSFET，它們具有基準通態電阻（RDS（on））及高封裝電流額定值，適用於高功率DC馬達和電動工具、工業用電池及電源應用。

最新的基準MOSFET系列採用了IR最新的溝道技術，在4.5V Vgs下擁有相當低的RDS（on），溫度效率顯著得到改善。此外，新元件更高的電流額定值，從多餘的瞬變提供更多防護頻帶，並減少並行類拓樸的元件數目。這類拓樸由幾個MOSFET共用高電流。藉著高達195A的封裝電流額定值，產品的TO-220、D2PAK和TO-262封裝較典型封裝能夠改善超過60%的額定值；與標準D2PAK相比，7引腳D2PAK也進一步減低多達16%的RDS（on），提供更多完善的選擇。
IR亞洲區銷售副總裁潘大偉表示：「新推出的邏輯電平閘極驅動溝道MOSFET備有基準RDS（on） ，能夠由微型控制器或弱電池驅動，提升在輕負載狀態下的效率。這些新元件非常適合高電流DC-DC轉換和DC馬達驅動應用。」
新邏輯電平溝道MOSFET系列的電壓範圍由40V至100V。它們已得到工業級和MSL1濕氣敏感度認可，更具備所有標準功率封裝，包括TO-220、D2PAK、TO-262，以及7引腳D2PAK。新元件不含鉛並符合電子產品有害物質管制規定（RoHS）。

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