報導稱美光正在開發GDDR6：旨在填補HBM空缺

據外媒報導，作為對高頻寬記憶體（HBM）的回應，美光（Micron）正整備於明年為市場帶來GDDR6顯示記憶體。美光全球顯示記憶體事業部主管Kristopher Kido近期在Fudzilla的新聞中證實了此事。報導宣稱GDDR6將比主流的GDDR5快上一倍，速度在10-14 GB/s左右。相比之下，當前主流的4GB GDDR5顯示記憶體大多在7 Gb/s（8GB晶片則在8 Gb/s）左右。

撇開速度不談，GDDR6顯示記憶體的形狀仍與GDDR5相似，因此可以減輕設計和製造過程中的成本和復雜性。而Digital Trends則強調稱，在類似尺寸的情況下，HBM早就實現了較GDDR5翻倍的性能。此外，GDDR6不僅無法做到HBM那樣高效、也無法帶來相同級別的延遲。最後，HBM 2.0即將在2016年的某個時候到來，屆時它又能夠藉著更強性能和更高效率來繼續碾壓GDDR6了。

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