IBM透過超級電腦模擬取得矽酸鉿材料研究進展

IBM蘇黎士研究實驗室(Zurich Research Laboratory)的研究人員在《Physical Review Letters》上宣佈，他們已經透過採用電腦模擬方法，在矽酸鉿(hafnium silicates)的介電常數之研究上取得了進展。

鉿(hafnium)、氧(oxygen)和矽(silicon)複雜的分層結構，都被用來將閘極與先進半導體中的半導體通道隔離開來。IBM也計劃在2008年將此技術加入到它的產品中。但是鉿材料介電常數的不穩定性提醒工程師們，對於該材料的了解還有待改進，而且它的到來還有可能產生無法預料的結果。

該IBM實驗室的研究人員透過IBM的Blue Gene超級電腦，用以測定氧化鉿確實如業界之前所認為的、較其他high-k材料的表現更好。研究人員聲稱已透過實驗得到了氧化鉿與混合之後的電氣特性的物理學清晰輪廓。

為了這份名為「矽酸鉿介電常數的不穩定性：第一原理研究(The Anomalous Behavior of the Dielectric Constant of Hafnium Silicates: a First Principles Study)」的報告，IBM的研究團隊採用了50種不同的矽酸鉿來類比各種材料的成分結構，這種矽酸鉿材料是由矽和鉿氧化而成的。

這些矽酸鉿包括了多達600個原子以及大約5,000個電子，和一個真實系統相差無幾。在蘇黎士實驗室裏安裝的雙機架Blue Gene/L超級電腦上，一次介電常數的運算在短短五個運算日之內就完成了。如果要模擬全部50種模式，Blue Gene超級電腦需要大概250天，而這些工作如果交給普通的桌上型電腦，則至少需要700年。

(參考原文：IBM Zurich uses supercomputer to simulate hafnium gate material)

看到我們的電腦要700年

就知道這超級電腦真的很厲害