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作者: sxs112.tw
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[儲存裝置] HGST展示PCM技術SSD:300萬IOPS,延遲低至1.5微秒

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sxs112.tw 發表於 2014-8-11 20:48:52 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
在前幾天的FMS全球快閃記憶體會議上,HGST除了發布2.7GB/s性能的PCI-E 3.0的FlashMAX III硬碟之外,還宣布了世界上最快的SSD,使用的雖然是PCI-E 2.0 x4,但是隨機IOPS性能高達300萬IOPS,而延遲更是低至1.5微秒,已經遠遠超過了普通的NAND快閃記憶體的SSD性能,因為HGST這次使用的是45nm製程的PCM技術快閃記憶體。
DSC04122.JPG

先來說說HGST的這個硬碟性能到底有多強大,首先是300萬IOPS,目前主流的桌上型SSD的隨機性能普通在10萬IOPS以內,PCI-E的可以達到十幾萬到幾十萬IOPS ,比如Intel的750系列SSD就可以達到18萬IOPS,企業級的PCI-E則能達到五六十萬甚至更多,此前見諸報導的IOPS性能最高的SSD是源科的麒麟III PCI- E硬碟,512B數據隨機性能最高也是300萬IOPS。
300萬隨機IOPS性能其實並不是HGST最自豪的地方,1.5微秒(us)的延遲時間才是更關鍵的,普通SSD的延遲多在30-40微秒或更高,SLC規格的企業級PCI -E硬碟通常也要10微秒多,這還是隨機寫入的,隨機讀取延遲則要更高了,而HGST的硬盤只要1.5微秒,這在今天的NAND快閃記憶體技術上是不可能實現的。
HGST依靠的就新一代的PCM儲存技術,對於PCM技術我們之前也介紹過一些,PCM不僅性能更快,而且寫入次數限制也堪比SLC,是未來最有競爭力的技術技術標準之一,IBM、三星、美光、Intel等公司都在開發PCM技術。

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admin 發表於 2014-8-12 09:51:40 | 只看該作者
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XF-Staff 發表於 2014-8-13 11:27:30 | 只看該作者
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4#
XF-Team 發表於 2014-8-14 13:31:59 | 只看該作者
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