DDR4提速至3200Mbps，Cadence宣布16nm FinFET製程DDR4物理層IP

今年第三季的Haswell -E/EP將成為首個支援DDR4記憶體的平台，美光、三星、SK Hynix的DDR4記憶體也在進行中。目前DDR4的運行速率並不算多高，初代產品多數都是DDR4-2133規格的，甚至不及高頻率DDR3記憶體。Cadence公司日前宣布他們已經使用TSMC的16nm FinFET製程生產了新DDR4記憶體物理層IP，速度可達3200Mbps。

JEDEC的標準中規定的DDR4記憶體頻率是1600-3200Mbps，目前美光等公司生產的DDR4記憶體頻率普遍都是DDR4-2133標準的，更高速的記憶體還在開發中。Cadence公司雖然不是記憶體廠商，不過他們的記憶體物理層IP可為其他SoC廠商的高速DDR4記憶體奠定了基礎。此前他們使用TSMC的28nm製程推出了首款DDR4-2400物理層及控制器，現在則在TSMC的16nm FinFET製程幫助下實現了DDR4-3200記憶體物理層的開發。
據Cadence公司所說，其他公司不需要重新設計DDR4物理層，即便原來的最高速率只有DDR4-2400，Cadence公司的物理層IP也可以通過提升額外的魯棒性、改善系統餘量實現DDR4- 3200Mbps運行。此外，最新的DDR4-3200物理層IP還向下相容早期的DDR3及低速率DDR4記憶體規範。

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