安森美半導體加入imec的矽基氮化鎵研究專案
氮化鎵具有優異電子遷移率、更高擊穿電壓及良好導熱性的特性，使其非常適合於要求高開關能效的功率元件及射頻(RF)元件。如今，基於氮化鎵的功率元件成本過高，不適合大批量製造，因為它們使用非標準生產工藝在小半徑的晶圓上製造。
imec的廣泛規模研究專案著重於開發200 mm晶圓上的矽基氮化鎵技術，及降低氮化鎵元件成本和提升性能。imec匯聚領先整合元件製造商(IDM)、晶圓代工廠、化合物半導體公司、設備供應商及襯底供應商，已經卓有成效地取得重大技術進步。
2011年，imec的研究項目成功地生產出200mm矽基氮化鎵晶圓，使工藝讓標準高生產率200 mm晶圓廠隨手可得。此外，imec開發了相容於標準CMOS工藝及工具的製造工藝，這是高性價比工藝的第二個先決條件。
imec智慧系統及能源技術副總裁Rudi Cartuyvels說：「我們的矽基氮化鎵聯合項目持續出現非凡進展，不斷推動降低生產成本。安森美半導體最新加盟成為策略專案合作夥伴，進一步推進我們的集體專業知識。充分利用聯合研究將幫助我們克服邁向經濟的大批量製造的下一個關卡，最終將氮化鎵功率元件上市。」
圖片：imec採用200mm CMOS相容型矽基氮化鎵工藝的功率元件本新聞稿的英文版可在下列網址下載：
https://www2.imec.be/be_en/press/imec-news/imecONsemi.html
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