Cypress於領先業界的非揮發記憶體產品系列中加入16-Mbit平行式nvSRAM與同步式NAND介面元件
新系列元件包括全球首款支援ONFI與Toggle同步介面的nvSRAM可直接連結NAND匯流排控制器
Cypress Semiconductor (Nasdaq:CY) 今日推出16-Mbit非揮發靜態隨機存取記憶體(non-volatile staticrandom access memories，nvSRAM)，包括支援同步式NAND快閃記憶體介面的元件。此系列產品為業界首款可直接連結開放式NAND快閃記憶體介面 (ONFI) 與Toggle NAND匯流排控制器之nvSRAM代表。16-Mbit系列更進一步擴充Cypress nvSRAM的產品系列，以滿足企業系統、高階可編程邏輯控制器 (Programmable LogicControllers，PLC)、儲存設備的高速資料與錯誤記錄器，以及網路設備對固態硬碟 (Solid State Drives，SSD) 的需求。
Cypress公司非揮發產品事業部副總裁Babak Taheri表示：「新款16-Mbit系列元件在提升速度、密度與效能標竿的同時，亦維持nvSRAM系列產品一貫的優異可靠度。同步式NAND介面為Cypress的nvSRAM打開許多新市場，並為整體非揮發元件增添廣度與彈性。」
ONFI NAND 介面的nvSRAM支援ONFI 3.0 NV-DDR 介面(100MHz)以及ONFI 3.0 NV-DDR2介面(200MHz)。Toggle NAND介面的nvSRAM則相容於Toggle 2.0 NAND 控制器，並支援200MHz的DDR運作。
ONFI和Toggle均能支援單通道運作的x8與x16位元資料匯流排組態，以及支援雙通道與四通道運作的x8位元資料匯流排組態，每秒能執行高達4億次交易。
供貨時程與元件相片
16-Mbit nvSRAM系列現已開始送樣，並預計在2013年第1季量產。CY14V116Fx ONFI 與Toggle NAND元件核心電壓為3伏特，IO電路電壓為1.8伏特，且均採用165-ball FBGA封裝。兩款非同步元件不論有無包含RTC，均提供8位元、16位元與32位元的資料匯流排，以及支援2.5V、3V與5V不同的電壓。且新款元件提供44-pin TSOPII、48-pin TSOPI、以及165-ball FBGA封裝。
關於Cypress nvSRAMs
Cypress的nvSRAM採用儲存在外部而非電池內的電容，因此能相容於標準PCB電路板的組裝製程。Cypress的nvSRAM符合禁用物質防制法 (ROHS)規範，可直接取代SRAM、電池供電SRAM(BBSRAM) 與EEPROM元件，提供高速非揮發資料儲存功能。在關閉電源時，系統會自動把SRAM內的資料傳送到元件內的非揮發儲存區。在啟動電源時，資料再從非揮發性記憶體回存至SRAM。在儀表、工業、汽車以及磁碟陣列等方面的應用中，nvSRAM提供高速資料傳輸，並在供電中斷時能確保資料完整性，不需要電池供電。
關於賽普拉斯半導體公司（Cypress Semiconductor Corporation）
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