DFI LP P35第二部 , 空冷FSB 605 32M
測試環境:MB: DFI LP P35
CPU: E6850 E0 ES
Ram: KingBox DDR2 800 1GBX2
Cooler: Tower 120 on Air
OS: WinXP SP2
FSB 605 32M 空冷達成
FSB 610 1M
以上是市售隨便挑一片做測試 , 可以確定市售一樣可以辦到
這星期台灣會少量出貨 , 8月之後大量上市
_ 太強了吧~~ 我說kingbox D9...........2.5V耶:time:... 原帖由 lochan 於 2007-7-29 11:08 發表
太強了吧~~ 我說kingbox D9...........2.5V耶:time:...
加2.5V還好把 ... 餅乾大加到3.0V :hug:.. :loveliness:.. retail的都那么强，无敌了:victory:... 看起來很穩定，晶片組也不熱，好板。 好板也要配神U:loveliness:.. 請教一下這片cpu旁的數位電路和一般的mosfet哪種比較好?
有什麼不同? 原帖由 Lawliet 於 2007-9-29 09:12 AM 發表 https://www.xfastest.com/images/common/back.gif
請教一下這片cpu旁的數位電路和一般的mosfet哪種比較好?
有什麼不同?
mosfet有些不能承受高電流 , 而且很容易產生多餘的廢熱 , 又佔空間 , 之前技嘉就是針對這點抓著ASUS猛打
Digital-PWM雖然也很燙 , 但很耐高溫 , 而且一相可以承受30A以上的電流 , 做到8相至少可以承受240A以上 , 對四核心一定有穩定作用
但很多廠商不用 , 是因為數位比傳統價錢還貴 , 以大量出貨來說 , 很難負擔 原帖由 Andre 於 2007-9-29 10:06 發表 https://www.xfastest.com/images/common/back.gif
mosfet有些不能承受高電流 , 而且很容易產生多餘的廢熱 , 又佔空間 , 之前技嘉就是針對這點抓著ASUS猛打
Digital-PWM雖然也很燙 , 但很耐高溫 , 而且一相可以承受30A以上的電流 , 做到8相至少可以承受240A以上 , ...
感謝解說~
本來想說目前的電晶體只有MOS和BJT兩種為主流~
難道D-PWM是新的電晶體?
原本想說數位和類比只是差在操作的控制區域不同而已，數位操作於飽和和截止，類比在主動區... 原帖由 Lawliet 於 2007-9-29 10:38 發表 https://www.xfastest.com/images/common/back.gif
感謝解說~
本來想說目前的電晶體只有MOS和BJT兩種為主流~
難道D-PWM是新的電晶體?
原本想說數位和類比只是差在操作的控制區域不同而已，數位操作於飽和和截止，類比在主動區... ...
目前Digital VRM最大宗供應商為Volterra(功率元件)以及Cooper/Bussmann(電感)，該家特性為將同步交換電路中的High Side與Low Side功率元件與其驅動器直接包成一顆CSP的VPR，可以有效減小電源電路所佔用面積，提高功率密度，降低干擾，且更容易高頻化，減少傳統電容使用數量。
另外還有一種叫做Digital PWM，這種是將多相同步降壓電路的多相PWM控制器內部的回授電路進行數位化，將回授信號從傳統的Error amp改為透過ADC轉成數位信號，通過內部比較電路來調節各相輸出的任務週期(Duty cycle)，反應較傳統PWM控制器更為即時及準確，同樣也可以進行高頻化動作，不過這類電路在各相仍屬於使用MOSFET經DRIVER構成HS/LS的拓墣，所以對於電路所佔用面積並無改善。
所以您說D-VRM用的功率元件不同於其他同步降壓電路元件算是對一半，因為一顆D-VRM用的功率元件，就等於傳統同步降壓電路其中一相的High side與Low Side Power MOSFET及其DRIVER/Feedback所有的東西。
至於交換式電路所使用的功率元件，無論是MOSFET、BJT、IGBT等，都是工作在其飽和區，也就是當作"電子開關"來使用。
只有線性串聯降壓電路，才是工作於主動區，這時主要的功率都會浪費在功率元件上。
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