美光曝光尖端HBM4E製程的開發成果，HBM4預計於2026年實現量產
美光提供了其下一代HBM4和HBM4E的最新訊息，該公司透露預計將於2026年開始大規模生產。HBM4確實是HBM市場未來的聖杯，主要是因為該技術承諾帶來尖端的性能和效率數據，這是提升AI運算能力的門戶。美光與SK Hynix和三星等公司一樣也在爭奪HBM4的主導地位，在最新的投資者會議上該公司透露他們的HBM4開發正步入正軌，並且HBM4E的工作已經在進行中。
憑藉堅實的基礎和對成熟1β製程技術的持續投資，我們預計美光的HBM4將保持上市時間和能源效率領先地位，同時性能比HBM3E提高50% 以上。預計 HBM4 將在2026年為該行業大量增加。
HBM4E的開發工作正在與多個客戶順利進行，HBM4E將緊隨HBM4。 HBM4E將透過採用台積電先進的代工製程，結合為某些客戶定制基礎晶片的選項，在記憶體業務中導入範式轉移。我們預計這種客製化能力將推動美光科技改善財務表現。
- Micron
對於那些不知道的人來說，HBM4在許多方面都是革命性的，但這裡值得注意的一點是，業界計劃將記憶體和邏輯半導體整合到單一封裝中。這意味著不需要封裝技術，並且考慮到單一晶片將更接近這種實現，因此它將被證明具有更高的性能效率。這就是為什麼美光提到他們將使用台積電作為他們的邏輯半導體供應商，類似於SK Hynix所採用的供應商。
美光也提到了HBM4E的存在，成為與SK Hynix一起首次揭露該技術開發的公司。雖然我們目前不確定美光的HBM4系列規格，但該公司確實透露HBM4預計將堆疊多達16個DRAM晶片，每個晶片容量為32GB，並有2048位元頻寬的匯流排，使該技術更加優越與其上一代對應產品相比。
在採用方面HBM4預計將與AMD的Instinct MI400 Instinct系列和出現在NVIDIA的Rubin AI架構中，因此該記憶體將得到廣泛的市場認可。目前HBM需求正處於頂峰，因此未來將會更加光明。
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