(PR)SK hynix開始量產全球首款321-High NAND
SK hynix公司今天宣布全球首款採用三層單元的321 High 4D NAND快閃記憶體已開始量產，容量為1Tb。繼去年6月以來成為業界首家提供全球最高238層NAND的紀錄之後，SK hynix透過堆疊技術的突破，成為全球首家提供300層以上NAND的供應商。該公司計劃從明年上半年開始向客戶提供321-High NAND產品。隨著公司成功採用3 plugs製程技術，300多層堆疊成為現實。該製程以其優異的生產效率而著稱，在完成3次plug製程後，透過優化的後續製程將其連接起來。對於該製程，SK hynix開發了一種低應力材料，同時導入了自動校正對齊的技術。
透過在321-High NAND產品上採用與238 High NAND相同的開發平台，該公司還可以透過最大限度地減少製程切換的影響，與上一代產品相比將生產率提高 59%。與上一代產品相比最新產品的資料傳輸速度提高了12%，讀取效能提高了13%。它還將資料讀取電源效率提高了10%以上。
SK hynix計畫穩步擴大321-High產品的使用範圍，將其提供給需要低功耗和高性能的新興人工智慧應用。
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